三星宣布大规模生产第五代V-NAND闪存芯片

 

据外媒报道，三星宣布已开始大规模生产其第五代V-NAND闪存芯片。三星第五代V-NAND内存芯片是业内第一个利用Toggle DDR 4.0接口的产品，该接口被称为数据传输的高速公路，在存储之间的传输速度可达1.4 Gbps。与前一代产品相比，后者使存储的传输速度提高了40%。